search query: @keyword passiivi-integrointi / total: 2
reference: 2 / 2
« previous | next »
Author: | Koskenala, Jarmo |
Title: | Tantalum Hafnium Oxide Capacitor |
Tantaalihafniumoksidikondensaattori | |
Publication type: | Master's thesis |
Publication year: | 1999 |
Pages: | 96 Language: eng |
Department/School: | Materiaali- ja kalliotekniikan osasto |
Main subject: | Metalli- ja materiaalioppi (Mak-45) |
Supervisor: | Kuivalainen, Pekka |
Instructor: | Kattelus, Hannu |
OEVS: | Electronic archive copy is available via Aalto Thesis Database.
Instructions Reading digital theses in the closed network of the Aalto University Harald Herlin Learning CentreIn the closed network of Learning Centre you can read digital and digitized theses not available in the open network. The Learning Centre contact details and opening hours: https://learningcentre.aalto.fi/en/harald-herlin-learning-centre/ You can read theses on the Learning Centre customer computers, which are available on all floors.
Logging on to the customer computers
Opening a thesis
Reading the thesis
Printing the thesis
|
Location: | P1 Ark V80 | Archive |
Keywords: | thin film capacitor high dielectric materials atomic layer epitaxy tabtalum pentoxide hafnium dioxide nanolaminate passive integration thin film capacitor MIM capacitor korkean permittiivisyyden materiaalit ALE-menetelmä tantaalipentoksidi hafniumdioksidi nanolaminaatti ohutkalvokondensaattori passiivi-integrointi MIM-rakenne |
Abstract (fin): | Tässä työssä kuvataan passiivi-integrointiin soveltuvan kerroksittaisen tantaali-pentoksidi hafniumdioksidikondensaattorin (THO) sähköistä toimintaa. Eristemateriaalista koostuva binäärinen nanolaminaatti kasvatettiin ALE-mentetelmällä N[+](100), piisubstraatin päälle metalloiduille elektrodeille. Hyödyntämällä sekä tantaali-pentoksidin että hafniumdioksidin parhaita ominaisuuksia, pystytään saamaan aikaan eristerakenne, jolla on nk. pehmeä läpilyöntiominaisuus suurissa sähkökentissä, 5MV/cm. THO-kondensaattorilla saavutetaan lupaavia sähköisiä ominaisuuksia ilman jatkolämpökäsittelyjä. Materiaalikarakterisointi suoritettiin käyttäen apuna seuraavia analyysimenetelmiä: XPS, TEM AFM ja SEM/EDS. Eristekalvon paksuutta analysoitiin hyödyntäen ellipsometriaa sekä reflektometrisiä menetelmiä. |
ED: | 1999-12-17 |
INSSI record number: 14983
+ add basket
« previous | next »
INSSI