search query: @keyword two-step growth method / total: 2
reference: 2 / 2
« previous | next »
Author: | Suihkonen, Sami |
Title: | Indiumnitridin valmistus MOVPE-menetelmällä |
MOVPE growth of indium nitride | |
Publication type: | Master's thesis |
Publication year: | 2004 |
Pages: | 59 Language: fin |
Department/School: | Sähkö- ja tietoliikennetekniikan osasto |
Main subject: | Optoelektroniikka (S-104) |
Supervisor: | Sopanen, Markku |
Instructor: | Sormunen, Jaakko |
OEVS: | Electronic archive copy is available via Aalto Thesis Database.
Instructions Reading digital theses in the closed network of the Aalto University Harald Herlin Learning CentreIn the closed network of Learning Centre you can read digital and digitized theses not available in the open network. The Learning Centre contact details and opening hours: https://learningcentre.aalto.fi/en/harald-herlin-learning-centre/ You can read theses on the Learning Centre customer computers, which are available on all floors.
Logging on to the customer computers
Opening a thesis
Reading the thesis
Printing the thesis
|
Location: | P1 Ark S80 | Archive |
Keywords: | indium nitride sapphire MOVPE metallic indium nucleation layer AFM XRD photoluminescen e two-step growth method annealing indiumnitridi safiiri MOVPE metallinen indium ydintymiskerros AFM XRD fotoluminesenssi kaksivaiheinen kasvuprosessi lämpökäsittely |
Abstract (fin): | Työssä valmistettiin Teknillisen korkeakoulun Optoelektroniikan laboratoriossa MOVPE-menetelmällä InN -puolijohdekerroksia safiiri (0001) -alustakiteille eri valmistusparametreilla. Tutkimuksen kohteena oli kasvulämpötilan, V/III-suhteen sekä erilaisten kasvuprosessien vaikutus kerrosten kiderakenteeseen ja optisiin ominaisuuksiin. Näytteiden pinnan morfologiaa tutkittiin atomivoimamikroskopialla, kiderakennetta röntgendiffraktiolla ja optisia ominaisuuksia fotoluminesenssimittauksin. Mittauksissa havaittiin reaktiivisen indiumin määrän rajoittavan indiumnitridin kasvunopeutta V/III-suhteen välillä 2,95 x 104 - 7,73 x 103. InN-kerrosten kidelaatu oli heikko, ja kerrokset koostuivat erillään kasvaneista saarekkeista. Saarekkeiden koon ja pinnan epätasaisuuden havaittiin kasvavan kasvulämpötilaa nostettaessa välillä 550 °C - 650 °C. Näytteet luminoivat energialla 0,75 - 0,78 eV. Luminesenssipiikin maksimin havaittiin siirtyvän pinnemmalle energialle ja sen puoliarvoleveyden pienenevän kasvulämpötilaa nostettaessa. Heksagonaalisen InN:n lisäksi näytteissä havaittiin metallista indiumia, jonka osuus lisääntyi kasvulämpötilaa nostettaessa. Kaksivaiheisilla kasvuprosesseilla saavutettiin parempi kerrosten pinnan morfologia ja kidelaatu kuin suoraan alustakiteen päälle valmistetuilla kerroksilla. Ydintymiskerroksen lämpökäsittelyn 650 °C:ssa havaittiin nostavan metallisen indiumin osuutta ja lisäävän pinnan epätasaisuutta. Paras kidelaatu saavutettiin valmistamalla InN-kerros lämpökäsittelemättömän puskurikerroksen päälle sekä prosessilla, jossa lämpötilaa ja V/III-suhdetta muutettiin kasvun aikana. |
ED: | 2004-11-22 |
INSSI record number: 26510
+ add basket
« previous | next »
INSSI