search query: @author Hakala, Mikko / total: 2
reference: 1 / 2
« previous | next »
Author: | Hakala, Mikko |
Title: | First principles modelling a silicon high-k oxide interface |
Pii ja korkeadielektrisen oksidin rajapinnan mallintaminen | |
Publication type: | Master's thesis |
Publication year: | 2004 |
Pages: | 64+10 Language: eng |
Department/School: | Teknillisen fysiikan ja matematiikan osasto |
Main subject: | Fysiikka (Tfy-3) |
Supervisor: | Nieminen, Risto |
Instructor: | Foster, Adam |
OEVS: | Electronic archive copy is available via Aalto Thesis Database.
Instructions Reading digital theses in the closed network of the Aalto University Harald Herlin Learning CentreIn the closed network of Learning Centre you can read digital and digitized theses not available in the open network. The Learning Centre contact details and opening hours: https://learningcentre.aalto.fi/en/harald-herlin-learning-centre/ You can read theses on the Learning Centre customer computers, which are available on all floors.
Logging on to the customer computers
Opening a thesis
Reading the thesis
Printing the thesis
|
Location: | P1 Ark TF80 | Archive |
Keywords: | first principles modelling MOSFET interface semiconductors hafnium oxide numeerinen mallinnus MOSFET rajapinta puolijohteet hafniumoksidi |
Abstract (fin): | Puolijohdeteollisuus pohjautuu vahvasti integroitujen piirien jatkuvaan kehitykseen. Näissä keskeisenä elementtinä on ollut piioksidi, joka on mahdollistanut nykyisten mikroprosessorien kehityksen. Lähitulevaisuudessa tämän materiaalin rajat kuitenkin tulevat vastaan, ja jotta laitteiden kehitystä voitaisiin jatkaa edelleen, täytyy piioksidi korvata niin sanotulla korkeadielektrisellä materiaalilla. Tässä työssä lupaavinta piioksidin korvaavaa kandidaattia, hafniumoksia, on mallinnettu numeerisesti. Mallintamiseen käytettiin tiheysfunktionaaliteoriaan pohjautuvaa Siesta-koodia ja DFT-GGA-menetelmää. Päätavoite työssä on tarkastella piin ja hafniumoksidin muodostamaa rajapintaa, erityisesti sen atomirakennetta sekä elektronitiloja. Tutkittu rajapinta on rakennettu kerros kerrokselta piialustan päälle. Jokainen kerros on laskennallisesti lämpökäsitelty ja sen jälkeen tuotu perustilaan viemällä lämpötila nollaan asteeseen. Tällä tavoin piipohjan päälle on rakennettu yksi kerros happea ja kolme kerrosta hafniumoksidia. Lopullinen tulos osoittaa, että rakenne ei ole vielä kolmen kerroksen jälkeen eristävä. Syynä ovat saturoitumattomat hafniumsidokset ja rakennetta tulee edelleen kasvattaa, jotta materiaalista tulee eristä. |
ED: | 2005-03-07 |
INSSI record number: 28139
+ add basket
« previous | next »
INSSI