search query: @keyword transparent conducting oxide / total: 2
reference: 2 / 2
« previous | next »
Author:Saarniheimo, Mikael
Title:Läpinäkyvän johtavan oksidikalvon piipohjaiset aluskerrokset
Silicon based underlayers for transparent conducting oxide
Publication type:Master's thesis
Publication year:2011
Pages:vi + 93 + [3]      Language:   fin
Department/School:Kemian laitos
Main subject:Orgaaninen kemia   (Kem-4)
Supervisor:Koskinen, Ari
Instructor:Rajala, Markku
OEVS:
Electronic archive copy is available via Aalto Thesis Database.
Instructions

Reading digital theses in the closed network of the Aalto University Harald Herlin Learning Centre

In the closed network of Learning Centre you can read digital and digitized theses not available in the open network.

The Learning Centre contact details and opening hours: https://learningcentre.aalto.fi/en/harald-herlin-learning-centre/

You can read theses on the Learning Centre customer computers, which are available on all floors.

Logging on to the customer computers

  • Aalto University staff members log on to the customer computer using the Aalto username and password.
  • Other customers log on using a shared username and password.

Opening a thesis

  • On the desktop of the customer computers, you will find an icon titled:

    Aalto Thesis Database

  • Click on the icon to search for and open the thesis you are looking for from Aaltodoc database. You can find the thesis file by clicking the link on the OEV or OEVS field.

Reading the thesis

  • You can either print the thesis or read it on the customer computer screen.
  • You cannot save the thesis file on a flash drive or email it.
  • You cannot copy text or images from the file.
  • You cannot edit the file.

Printing the thesis

  • You can print the thesis for your personal study or research use.
  • Aalto University students and staff members may print black-and-white prints on the PrintingPoint devices when using the computer with personal Aalto username and password. Color printing is possible using the printer u90203-psc3, which is located near the customer service. Color printing is subject to a charge to Aalto University students and staff members.
  • Other customers can use the printer u90203-psc3. All printing is subject to a charge to non-University members.
Location:P1 Ark Aalto  1937   | Archive
Keywords:underlayer
silicon oxynitride
silicon oxycarbide
chemical vapor desosition
transparent conducting oxide
aluskerros
piioksidikarbidi
piioksidinitridi
kemiallinen kaasufaasikasvatus
läpinäkyvä johtava oksidi
Abstract (eng): Underlayer is used between transparent conducting oxide layer and glass substrate in thin film solar cells and low-emissivity glasses.
The underlayer acts as a diffusion barrier and it can eliminate the interference colours that would be otherwise shown by the transparent conducting oxide.

The focus of this thesis was to study the suitability of silicon oxynitride and silicon oxycarbide as an underlayer for a low temperature (< 620°C) process.
Capability to control the growth rate and the quality of the films was also examined.
Samples were prepared with stationary atmospheric pressure chemical vapor deposition.
Silicon oxynitride films were grown with silane, ammonia, nitrous oxide and nitrogen.
Silicon oxycarbide films were grown with silane, carbon dioxide, ethylene and nitrogen.

It was observed that the growth rate can be improved by increasing the temperature.
The growth rate of silicon oxynitrides was higher than of silicon oxycarbides at temperatures below 620°C.
The relation was contrary at higher temperatures.
It was possible to improve the growth rate by increasing silane concentration.
Increasing ethylene concentration decreased the growth rate.
Total flow rate had significant effect on the amount of material loss.

The composition of the films had effect on their optical properties.
It was possible to control the refractive index of silicon oxynitrides with the feed ratio of ammonia and nitrous oxide.
Controlling the refractive index of silicon oxycarbide films with carbon dioxide and ethylene was not as successful.

It was shown that silicon oxynitrides are preferable to silicon oxycarbides as an underlayer for a low temperature process.
Abstract (fin): Aluskerrosta käytetään läpinäkyvän johtavan oksidikalvon sekä lasisubstraatin välissä ohutkalvoaurinkokennoissa ja energiansäästölaseissa.
Aluskerros toimii natriumin diffuusiovallina ja sen avulla voidaan poistaa johtavan oksidikalvon aiheuttamat interferenssivärit.

Työssä tutkittiin piioksinitridin sekä piioksikarbidin soveltuvuutta aluskerrokseksi matalan lämpötilan (< 620 °C) prosessissa.
Työssä kartoitettiin myös, millä muuttujilla prosessien kasvunopeutta ja kalvojen laatua pystytään hallitsemaan.
Näytteet valmistettiin ilmanpaineessa tehtävällä stationaarisella kemiallisella kaasufaasikasvatuksella.
Piioksinitridikalvot kasvatettiin käyttämällä silaania, ammoniakkia, dityppioksidia sekä typpeä.
Piioksikarbidikalvojen valmistuksessa käytettiin silaania, hiilidioksidia, eteeniä ja typpeä.

Kokeiden tuloksena todettiin, että kalvojen kasvunopeutta pystytään parantamaan korottamalla kasvatuslämpötilaa.
Piioksinitridin kasvunopeus oli piioksikarbidia korkeampi alle 620 °C lämpötiloissa.
Tätä korkeammissa lämpötiloissa suhde muuttui painvastaiseksi.
Prosessien kasvunopeutta voitiin parantaa myös kasvattamalla silaanin konsentraatiota.
Eteenin konsentraation kasvattaminen sen sijaan hidasti kalvon kasvua.
Kokonaisvirtauksen suuruudella pystyttiin vaikuttamaan materiaalihäviöiden määrään.

Kalvojen koostumuksella oli vaikutusta niiden optisiin ominaisuuksiin.
Piioksinitridikalvojen taitekerroin oli hallittavissa ammoniakin ja dityppioksidin syötöillä.
Piioksikarbidikalvojen taitekertoimen kontrolloiminen ei onnistunut yhtä hyvin.
Työssä osoitettiin, että piioksinitridikalvot soveltuvat piioksikarbidikalvoja paremmin aluskerrokseksi matalan lämpötilan prosessiin.
ED:2012-05-10
INSSI record number: 44464
+ add basket
« previous | next »
INSSI