search query: @keyword AFM / total: 20
reference: 10 / 20
Author: | Svensk, Olli |
Title: | Alumiinigalliumnitridin valmistus MOVPE-menetelmällä |
MOVPE growth of aluminium gallium nitride | |
Publication type: | Master's thesis |
Publication year: | 2005 |
Pages: | 64 Language: fin |
Department/School: | Sähkö- ja tietoliikennetekniikan osasto |
Main subject: | Optoelektroniikka (S-104) |
Supervisor: | Sopanen, Markku |
Instructor: | Lang, Teemu |
OEVS: | Electronic archive copy is available via Aalto Thesis Database.
Instructions Reading digital theses in the closed network of the Aalto University Harald Herlin Learning CentreIn the closed network of Learning Centre you can read digital and digitized theses not available in the open network. The Learning Centre contact details and opening hours: https://learningcentre.aalto.fi/en/harald-herlin-learning-centre/ You can read theses on the Learning Centre customer computers, which are available on all floors.
Logging on to the customer computers
Opening a thesis
Reading the thesis
Printing the thesis
|
Location: | P1 Ark S80 | Archive |
Keywords: | aluminium gallium nitride MOVPE gallium nitride two-step growth method sapphire in situ reflectrometry AFM XRD photoluminescence alumiinigalliumnitridi MOVPE galliumnitridi kaksivaiheinen valmistusmenetelmä safiiri reflektometri AFM XRD fotoluminesenssi |
Abstract (fin): | Tämä diplomityö käsittelee alumiinigalliumnitridin epitaktista valmistusta galliumnitridikerroksen päälle. Työ tehtiin Teknillisen korkeakoulun Optoelektroniikan laboratoriossa. AlGaN-kerrokset valmistettiin MOVPE-laitteistolla ja niiden ominaisuuksien tutkimiseen käytettiin MOVPE-laitteiston valmistuksenaikaista refiektometriä, röntgendiffraktometriä, atomivoimamikroskooppia ja fotoluminesenssimittalaitteistoa. Kiteiden alumiinipitoisuuden todettiin olevan TMAl- ja TMGa -lähdeaineiden molaarista virtaussuhdetta alhaisempi. Kiteen alumiinipitoisuuden arviointia ei voitu suorittaa ainoastaan molaaristen kaasuvirtausten suhteiden perusteella, koska muut valmistusparametrit vaikuttavat alumiinin osuuteen merkittävästi. Lähdeaineiden V/III-suhteen suurentaminen johti kalvon alumiinipitoisuuden nousuun. AlGaN-kerrosten kasvun todettiin olevan reaktiivisten ryhmän III aineiden määrän rajoittamaa V/III-suhdevälillä 1250 - 2750. Korkeilla alumiiniosuuksilla kerroksissa havaittiin selviä halkeamia. Halkeamia lukuun ottamatta V/III-suhteella ei todettu olevan vaikutusta kalvon pinnan morfologiaan. Valmistuslämpötilan nostamisen todettiin hidastavan kalvojen kasvunopeutta lämpötilavälillä 940 - 1300 °C. Kerroksen alumiinipitoisuus nousi valmistuslämpötilan noustessa. Tasaisin pinnan morfologia saavutettiin l240°C:n lämpötilassa. 590 - 630 °C:n lämpötilassa AlGaN-kalvot kasvoivat saarekekasvuna. Alumiinipitoisuuden noustessa kerrosten kidelaatu heikkeni merkittävästi. |
ED: | 2005-05-11 |
INSSI record number: 28802
+ add basket
INSSI