search query: @keyword MOVPE / total: 23
reference: 23 / 23
« previous | next »
Author: | Korkala, Tarja |
Title: | In(Ga)As/GaAs-saarekkeiden valmistus ja peittäminen MOVPE-tekniikalla |
Fabrication and covering on In(Ga) quantum dots by MOVPE | |
Publication type: | Master's thesis |
Publication year: | 1998 |
Pages: | 57 Language: fin |
Department/School: | Sähkö- ja tietoliikennetekniikan osasto |
Main subject: | Optoelektroniikka (S-104) |
Supervisor: | Tuomi, Turkka |
Instructor: | Sopanen, Markku |
OEVS: | Electronic archive copy is available via Aalto Thesis Database.
Instructions Reading digital theses in the closed network of the Aalto University Harald Herlin Learning CentreIn the closed network of Learning Centre you can read digital and digitized theses not available in the open network. The Learning Centre contact details and opening hours: https://learningcentre.aalto.fi/en/harald-herlin-learning-centre/ You can read theses on the Learning Centre customer computers, which are available on all floors.
Logging on to the customer computers
Opening a thesis
Reading the thesis
Printing the thesis
|
Location: | P1 Ark S80 | Archive |
Keywords: | puolijohdelaser In(Ga)As-saarekkeet kvanttipiste Stranski-Krastanow-kasvu-moodi itseorganisoituva kasvu MOVPE |
Abstract (fin): | Työssä on valmistettu peittämättömiä InAs-saarekkeita sekä peittämättömiä ja peitettyjä In_(0.50)Ga_(0.50)As -saarekkeita GaAs-alustakiteen päälle. Saarekekasvu noudatti Stranski-Krastanow-kasvumoodia. Kerrosrakenteiden kasvatuksessa käytettiin TKK:n Optoelektroniikan laboratorion MOVPE-laitetta. Saarekkeiden muodostumista tutkittiin eri kasvatusparametrien suhteen. Peittämättömien saarekkeiden tiheys ja kokojakauma määritettiin atomivoimamikroskoopilla. Peitettyjen saarekkeiden optiset ominaisuudet karakterisoitiin fotoluminesenssimittauksilla. InAs-saarekkeiden tiheys, noin 10[10] cm[-2], oli riittävän suuri kvanttipistelaserrakennetta varten, mutta ongelmana oli saarekkeiden epähomogeenisuus. Peittämättömien InGaAs-saarekkeiden tiheydeksi saatiin parhaimmillaan 4 10[10] cm[-2] ja keskimääräiseksi korkeudeksi 6-8 nm. Optimaalisimmat saarekerakenteet saatiin kahdella eri kasvatusparametri-ikkunalla. Peitetyssä InGaAs/GaAs-rakenteessa saarekkeet peitettiin 50 nm:n paksuisella GaAs-kerroksella. InGaAs-saarekkeet luminoivat transitioenergialla 1,05-1,15 eV riippuen saarekkeiden koosta. Saarekkeiden perustilan puoliarvon leveys oli kapeimmillaan noin 40 meV, josta voidaan päätellä saarekkeiden olleen erittäin homogeenisia. Työssä kokeiltiin myös pinottua saarekerakennetta, jossa oli viisi InGaAs-kerrosta päällekäin. Saarekekerrosten välissä oli 5 nm:n paksuiset GaAs-kerrokset. Pinottu rakenne luminoi heikommin kuin 1-kerroksinen InGaAs/GaAs-rakenne. |
ED: | 1998-03-10 |
INSSI record number: 13036
+ add basket
« previous | next »
INSSI