search query: @keyword MOVPE / total: 23
reference: 15 / 23
| Author: | Mattila, Marco |
| Title: | Indiumfosfidin Stranski-Krastanow-kasvu organometallisessa kaasufaasiepitaksiassa |
| Stranski-Krastanow growth of Indium Phosphide by metal-organic vapor phase epitaxy | |
| Publication type: | Master's thesis |
| Publication year: | 2001 |
| Pages: | vi + 63 Language: fin |
| Department/School: | Sähkö- ja tietoliikennetekniikan osasto |
| Main subject: | Optoelektroniikka (S-104) |
| Supervisor: | Lipsanen, Harri |
| Instructor: | Sopanen, Markku |
| Digitized copy: | https://aaltodoc.aalto.fi/handle/123456789/89216 |
| OEVS: | Digitized archive copy is available in Aaltodoc
|
| Location: | P1 Ark S80 | Archive |
| Keywords: | Stranski-Krastanow growth indium phosphide epitaxy 2D island 3D island quantum dot Stranski-Krastanow-kasvu indiumfosfidi epitaksia 2D-saareke 3D-saareke kvanttipiste AFM MOVPE |
| Abstract (fin): | Työssä valmistettiin Teknillisen korkeakoulun Optoelektroniikan laboratoriossa MOVPE-menetelmällä InP-puolijohdekerroksia GaAs(001)-alustakiteille eri valmistusparametreilla. Nimellisesti 0,3-2,8 ML paksujen InP-kerrosten muodostumista ja morfologiaa sekä itseorganisoituneita Stranski-Krastanow-saarekkeita tutkittiin atomivoimamikroskoopilla. Saarekkeiden itseorganisoituva kasvu on lupaava menetelmä yhdistepuolijohdekvanttipisteiden valmistamiseksi optisen tietoliikenteen komponentteihin. Mittaustulokset osoittavat, että InP-kastumiskerros muodostuu atomikerroksittain 2D-saarekkeista, joiden tiheys ja koko kasvavat peiton mukana ja jotka lopulta yhdistymällä muodostavat täyden atomikerroksen. Seuraava atomikerros alkaa muodostua vasta yhtenäisen atomikerroksen päälle. 2D-saarekkeiden tiheyden havaitaan olevan suoraan verrannollinen kasvunopeuteen ja kääntäen verrannollinen lämpötilasta eksponentiaalisesti riippuvaan diffuusiovakioon. As/P-vaihdon havaitaan vaikuttavan merkittävästi InP/GaAs-rajapinnan muodostumiseen yli 610 °C:n kasvulämpötiloissa. Vaihdon takia pienellä InP-peitolla näytteiden pinnalle muodostuu useita atomikerroksia syviä koloja tai nanometrien korkuisia saarekkeita. Stranski-Krastanow-transition kriittiseksi paksuudeksi InP-kerrokselle määritettiin 2,1-2,2 ML lämpötilassa 635 °C. Saarekkeiden maksimitiheys on noin 10[9] cm[-2], joka saavutetaan yli 2,6 ML:n InP-peitolla lämpötilassa 635 °C. |
| ED: | 2001-11-09 |
INSSI record number: 18036
+ add basket
INSSI