search query: @keyword SSD / total: 3
reference: 3 / 3
« previous | next »
Author: | Pursula, Eeva |
Title: | Lateral Field Effect Devices for Room Temperature Silicon Nanoelectronics |
Sivusuuntaiseen kenttävaikutukseen perustuvat piipohjaiset huoneenlämpötilan nanoelektroniikkakomponentit | |
Publication type: | Master's thesis |
Publication year: | 2005 |
Pages: | iv + 72 s. + liitt. 6 Language: eng |
Department/School: | Teknillisen fysiikan ja matematiikan osasto |
Main subject: | Fysiikka (Tfy-3) |
Supervisor: | Saarinen, Kimmo |
Instructor: | Ahopelto, Jouni |
OEVS: | Electronic archive copy is available via Aalto Thesis Database.
Instructions Reading digital theses in the closed network of the Aalto University Harald Herlin Learning CentreIn the closed network of Learning Centre you can read digital and digitized theses not available in the open network. The Learning Centre contact details and opening hours: https://learningcentre.aalto.fi/en/harald-herlin-learning-centre/ You can read theses on the Learning Centre customer computers, which are available on all floors.
Logging on to the customer computers
Opening a thesis
Reading the thesis
Printing the thesis
|
Location: | P1 Ark TF80 | Archive |
Keywords: | SSD field effect devices nanoelectronics SSD kenttävaikutuskomponentit nanoelektroniikka |
Abstract (fin): | Huoneenlämpötilassa toimiville nanokomponenteille kehitettiin SOI-kiekkoihin perustuva valmistusprosessi. Pohjana käytettiin aikaisemmin kehitettyä IC-prosessia. Komponentit kuvioitiin elektronisuihkulitografialla, jota seuraavassa Cl2-plasmaetsauksessa käytettiin SiO2-kovamaskia pystysuorien seinämien aikaansaamiseksi 50 nm leveisiin rakoihin. Komponentit perustuvat MOSFETin toimintaan. Hilajännite muokkaa kanavan vyörakennetta joko sallien tai estäen komponentin läpi kulkevan virran. Komponenttigeometriasta johtuen virtaa ei kulje ilman hilajännitettä, joten pn-liitoksia ei tarvita. Transistorien (FET) lisäksi valmistettiin ohueen SOI kerrokseen etsattuun epäsymmetriseen kanavaan perustuvia nanokytkimiä (SSD, nielujännite toimii myös hilajännitteenä), joiden I-V-käyrä on vastaavanlainen kuin diodilla. Näitä komponentteja käyttäen valmistettiin mittausten ja simulaatioiden pohjalta loogisia portteja. Etuna perinteisiin piireihin nähden on, ettei yksittäisten komponenttien välisiin kytkentöihin tarvita ylempien kerrosten kautta kulkevia langoituksia. Tutkittiin piin seostuksen ja komponenttigeometrian muutosten vaikutuksia komponenttien virta-jännite-käyttäytymiseen. Komponenttien ominaisuuksia parannettiin seostuksen avulla. Seostusatomien käyttäytyminen Si-SiO2-rajapinnalla pienentää kanava-alueen efektiivistä seostusta. Tämä lisää kanavan vastusta kuljetuksen perustuessa aukkojen liikkeeseen, mikä parantaa kanavan jänniteohjausta. Työn perusteella sivusuuntaiseen kenttävaikutukseen perustuvia kapeakanavaisia (noin 50 nm) ja noin 1 µm pituisia komponentteja voidaan käyttää diodeina ja transistoreina huoneenlämpötilassa. Myös niiden käyttö monimutkaisempien tiedonkäsittely-yksiköiden rakentamiseen vaikuttaa mahdolliselta. |
ED: | 2005-05-04 |
INSSI record number: 28754
+ add basket
« previous | next »
INSSI