search query: @keyword silicon / total: 34
results-list
reference: 20 / 34
« previous | next »
Author:Nieminen, Jami
Title:Piin valosähkökemiallinen syövytys alkaalisissa liuoksissa
Light-controlled electrochemical etching of silicon in alkaline solutions
Publication type:Master's thesis
Publication year:2004
Pages:56      Language:   fin
Department/School:Materiaali- ja kalliotekniikan osasto
Main subject:Metalli- ja materiaalioppi   (Mak-45)
Supervisor:Lehto, Ari
Instructor:Haimi, Eero
OEVS:
Electronic archive copy is available via Aalto Thesis Database.
Instructions
close

Reading digital theses in the closed network of the Aalto University Harald Herlin Learning Centre

In the closed network of Learning Centre you can read digital and digitized theses not available in the open network.

The Learning Centre contact details and opening hours: https://learningcentre.aalto.fi/en/harald-herlin-learning-centre/

You can read theses on the Learning Centre customer computers, which are available on all floors.

Logging on to the customer computers

  • Aalto University staff members log on to the customer computer using the Aalto username and password.
  • Other customers log on using a shared username and password.

Opening a thesis

  • On the desktop of the customer computers, you will find an icon titled:

    Aalto Thesis Database

  • Click on the icon to search for and open the thesis you are looking for from Aaltodoc database. You can find the thesis file by clicking the link on the OEV or OEVS field.

Reading the thesis

  • You can either print the thesis or read it on the customer computer screen.
  • You cannot save the thesis file on a flash drive or email it.
  • You cannot copy text or images from the file.
  • You cannot edit the file.

Printing the thesis

  • You can print the thesis for your personal study or research use.
  • Aalto University students and staff members may print black-and-white prints on the PrintingPoint devices when using the computer with personal Aalto username and password. Color printing is possible using the printer u90203-psc3, which is located near the customer service. Color printing is subject to a charge to Aalto University students and staff members.
  • Other customers can use the printer u90203-psc3. All printing is subject to a charge to non-University members.
Location:P1 Ark V80     | Archive
Keywords:silicon
photoelectrochemical etching
passivation
pii
valosähkökemiallinen syövytys
passivaatio
Abstract (eng): In the theoretical part of this thesis, the electrochemical properties of semiconductors are considered and compared to those of metals.
I examine the behaviour of silicon in fluoride and alkaline solutions when external voltage is applied, and investigate different parameters affecting electrochemical etching of silicon in KOH solution.
Such parameters are concentration and temperature of the KOH solution, the doping level of the silicon and applied voltage and its sweeping rate.
The most important parameter is the intensity of the light.
I analyse the effect of illumination on silicon and on the electrochemical etching of silicon is, devoting particular attention to the most important phenomenon in electrochemical etching, passivation.

The experimental part of this thesis presents the test materials, the test equipment and its construction, and the measurement methods applied.
In the experiments, polarization curves were measured for normally and heavily doped p-type silicon wafers in the dark and under illumination.
The results of the normally doped samples, which were used for reference, are compared to the references presented in the theoretical part.
Based on the results of the heavily doped samples, I discuss the effect of illumination on passivation of silicon in electrochemical etching.
The results indicate that illumination switches the passivation of silicon to a more anodic direction for both normally and heavily doped p-type silicon.
The tests also showed that passivation occurs notably wider potential range in heavily doped silicon than in normally doped silicon.
Abstract (fin): Työn teoriaosassa tarkastellaan puolijohteiden sähkökemiallisia ominaisuuksia sekä verrataan niitä metallien ominaisuuksiin.
Piin käyttäytymistä tarkastellaan ulkoisen jännitteen vaikuttaessa sekä fluoripitoisissa että alkalisissa liuoksissa.
Lisäksi tarkastellaan eri parametrien vaikutusta piin sähkökemiallisessa syövytyksessä KOH-liuoksessa.
Naita parametreja ovat KOH:n konsentraatio, lämpötila, piin seosainepitoisuus sekä jännitteen suuruus ja pyyhkäisynopeus.
Työn kannalta olennaisin parametri on valon intensiteetti.
Valon vaikutus piihin ja piin sähkökemialliseen syöpymiseen sekä sähkökemiallisen syövytyksen tärkein ilmiö, passivaatio, esitellään yksityiskohtaisesti.

Työn kokeellisessa osassa esitellään käytetyt koemateriaalit, koelaitteisto ja sen rakentaminen sekä mittausmenetelmät.
Kokeissa mitattiin polarisaatiokäyrät normaali- ja runsasseosteisille p-tyypin piikiekoille sekä pimeässä että valossa.
Mittaustulokset ja niiden tarkastelu esitellään kokeellisessa osassa.
Referenssinä käytetystä p-tyypin piistä saatuja tuloksia verrataan teoriaosassa esitettyihin viitteisiin ja p+ -tyypin tuloksista arvioidaan valon vaikutusta piin passivaatioon sähkökemiallisessa syövytyksessä.
Tuloksista todetaan näytteen valaisun siirtävän piin passivoitumista kohti positiivisempaa jännitettä sekä p- että p+ -tyypin piillä.
Lisäksi passivaation havaitaan tapahtuvan p+ -tyypin piillä huomattavasti laajemmalla jännitealueella kuin p-tyypin piillä.
ED:2004-11-05
INSSI record number: 26469
+ add basket
« previous | next »
INSSI