search query: @keyword silicon / total: 34
reference: 19 / 34
Author: | Pennanen, Katja |
Title: | Termisten vakanssien tutkiminen vahvasti n-tyyppisessä piissä positroniannihilaatiospektroskopialla |
Observation of thermal vacancies in highly n-type silicon by positron annihilation spectroscopy | |
Publication type: | Master's thesis |
Publication year: | 2005 |
Pages: | 96 Language: fin |
Department/School: | Teknillisen fysiikan ja matematiikan osasto |
Main subject: | Fysiikka (Tfy-3) |
Supervisor: | Saarinen, Kimmo |
Instructor: | |
OEVS: | Electronic archive copy is available via Aalto Thesis Database.
Instructions Reading digital theses in the closed network of the Aalto University Harald Herlin Learning CentreIn the closed network of Learning Centre you can read digital and digitized theses not available in the open network. The Learning Centre contact details and opening hours: https://learningcentre.aalto.fi/en/harald-herlin-learning-centre/ You can read theses on the Learning Centre customer computers, which are available on all floors.
Logging on to the customer computers
Opening a thesis
Reading the thesis
Printing the thesis
|
Location: | P1 Ark TF80 | Archive |
Keywords: | positron spectroscopy silicon vacancy positronispektroskopia pii vakanssivirhe |
Abstract (fin): | Termisten vakanssien ymmärtäminen on tärkeää, sillä ne välittävät seostusatomien diffuusiota. Tämä diffuusio johtaa sähköisesti passiivisten vakanssi-epäpuhtausklusterien syntymiseen, jotka puolestaan huonontavat ratkaisevasti piin sähköisiä ominaisuuksia. Työssä tutkittiin termisiä vakansseja positronispektroskopian menetelmin voimakkaasti arseenilla ja fosforilla seostetuissa bulk-piinäytteissä sekä antimonilla ja arseenilla seostetuissa ohutkalvoissa. Termisten vakanssien havaitsemiseksi bulk-näytteistä mitattiin positronin elinaikaa ja Doppler-levenemää lämpötiloissa 200-800 K. Ohutkalvojen tapauksessa näytteitä toivutettiin erillisessä putkiuunissa ja mitattiin huoneenlämpötilassa. As-seostetussa näytteessä termiset vakanssit näkyivät positronin keskimääräisen elinajan kohoamisena lämpötiloissa 750-800 K. Syntyneiden virheiden konsentraatio oli kuitenkin liian pieni virheiden tarkemmaksi identifioimiseksi. Todettiin myös, ettei positroni loukkuunnu V-As3-virheeseen yli 580 K lämpötilassa. P-seostetussa näytteessä havaittiin termisten vakanssien syntymistä 290-750 K lämpötiloissa. 700 K ja 750 K lämpötiloissa näytteen pinnan lähellä nähdään vakansseja ja V-P-pareja ja syvemmällä näytteessä P-atomien ympäröimiä vakansseja. Näytteen jäähdyttyä huoneenlämpötilaan osa vakansseista jää näytteeseen ja pinnan läheisyydessä nähdään pieni konsentraatio divakansseja. As-seostetuissa ja RTA-toivutetuissa ohutkalvoissa havaittiin 800 K ja 1000 K lämpötiloissa tehtyjen toivutusten jälkeen termisiä vakanssivirheitä, jotka näkyvät selkeänä tasona W-parametrissa. Vakanssivirheet ovat mitä todennäköisimmin divakansseja ja niitä nähdään pieni konsentraatio jo RTA-toivutuksen jälkeen. Tason sijainnin perusteella voidaan sanoa, että virhekonsentraatio on vähintään luokkaa 1019 cm-3. Sb-seostetussa ohutkalvonäytteessä, jonka seostuskonsentraatio oli 9,4.1020 cm-3, 800 K lämpötilassa tehdyn toivutuksen jälkeen vakanssien ympärillä havaitaan lisää Sb-atomeita. Lisäksi työssä laskettiin teorian perusteella positronin loukkuuntumista relaksoituihin vakansseihin ja vakanssi-arseenipareihin ja selvitettiin eri lämmitysmenetelmien soveltuvuutta näytteen lämmittämiseen positronimittausten aikana. |
ED: | 2005-11-08 |
INSSI record number: 29939
+ add basket
INSSI