search query: @keyword Graphene / total: 34
reference: 33 / 34
Author: | Virtanen, Jussi Maurits |
Title: | Specific contact resistivity of metal-graphene -junctions |
Kontaktiresistiivisyys metalli-grafeeni -liitoksissa | |
Publication type: | Master's thesis |
Publication year: | 2009 |
Pages: | ix + 49 Language: eng |
Department/School: | Elektroniikan, tietoliikenteen ja automaation tiedekunta |
Main subject: | Optoelektroniikka (S-104) |
Supervisor: | Lipsanen, Harri |
Instructor: | Riikonen, Juha |
OEVS: | Electronic archive copy is available via Aalto Thesis Database.
Instructions Reading digital theses in the closed network of the Aalto University Harald Herlin Learning CentreIn the closed network of Learning Centre you can read digital and digitized theses not available in the open network. The Learning Centre contact details and opening hours: https://learningcentre.aalto.fi/en/harald-herlin-learning-centre/ You can read theses on the Learning Centre customer computers, which are available on all floors.
Logging on to the customer computers
Opening a thesis
Reading the thesis
Printing the thesis
|
Location: | P1 Ark S80 | Archive |
Keywords: | graphene ohmic contact Shockley transfer length Schottky barrier metal-semiconductor junction focused ion beam grafeeni ohminen kontakti Shockley TLM Schottky metalli-puolijohde-liitos keskitetty ionisuihku |
Abstract (fin): | Työssä tutkittiin eri metallien (Cr, Ti, Pd, Mo, Pt) ja grafeenin välisiä kontaktiresistiivien arvoja (pc). Valitut metallit ovat yleisesti käytössä grafeeniin perustuvissa komponenteissa. Kontaktiresistiivi mitattiin ensisijaisesti käyttämällä TLM (transfer length method) menetelmää, mutta saatuja arvoja verrattiin myös neljään kontaktiin perustuvaan resistiivisyyden mittauksen tuloksiin ja tässä työssä kehitettyyn matemaattiseen malliin, mikäli tämä oli mahdollista. Malli kehitettiin ottamaan huomioon grafeenihiutaleiden geometriset vaihtelut. Mekaanisesti kuoritut grafeenihiutaleet prosessoitiin perinteisillä puhdastilamenetelmillä ja metalloitiin elektronisuihkuhöyrystimellä tai keskitetyllä ionisuihkulla. Yksi referenssi näyte kuvioitiin myös käyttämällä elektronisuihkulitografiaa. Elektronisuihkulla höyrystetyt metallit, platinaa lukuun ottamatta, muodostivat ohmisen kontaktin ja täyttivät matalaohmisen liitoksen kriteerin (Pc < 10-6 koomegacm2). Kontaktiresistiivisyyden ei havaittu riippuvan grafeenin paksuudesta. Matalin kontaktiresistiivisyys Pc= 5.6 x 10-9 koomegacm2 mitattiin kromi-grafeeni -liitoksessa. Keskitetyn ionisuihkun huomattiin levittävän hienoa amorfista hiilipölyä näytteiden päälle platinakontakteja metalloitaessa. Kontaminaatiota ei pystytty poistamaan kahdella eri jälkikäsittelyllä. Lisäksi platinakontaktien mitatut neliöalan resistanssit olivat tuhatkertaisia verrattuna paksuun platinaan. |
ED: | 2009-07-17 |
INSSI record number: 38104
+ add basket
INSSI