search query: @keyword BiCMOS / total: 35
reference: 10 / 35
« previous | next »
Author:Aurola, Artto
Title:Bipolaaritransistorin suunnittelu
Publication type:Master's thesis
Publication year:2003
Pages:58      Language:   fin
Department/School:Teknillisen fysiikan ja matematiikan osasto
Main subject:Fysiikka   (Tfy-3)
Supervisor:Hautojärvi, Pekka
Instructor:
OEVS:
Electronic archive copy is available via Aalto Thesis Database.
Instructions

Reading digital theses in the closed network of the Aalto University Harald Herlin Learning Centre

In the closed network of Learning Centre you can read digital and digitized theses not available in the open network.

The Learning Centre contact details and opening hours: https://learningcentre.aalto.fi/en/harald-herlin-learning-centre/

You can read theses on the Learning Centre customer computers, which are available on all floors.

Logging on to the customer computers

  • Aalto University staff members log on to the customer computer using the Aalto username and password.
  • Other customers log on using a shared username and password.

Opening a thesis

  • On the desktop of the customer computers, you will find an icon titled:

    Aalto Thesis Database

  • Click on the icon to search for and open the thesis you are looking for from Aaltodoc database. You can find the thesis file by clicking the link on the OEV or OEVS field.

Reading the thesis

  • You can either print the thesis or read it on the customer computer screen.
  • You cannot save the thesis file on a flash drive or email it.
  • You cannot copy text or images from the file.
  • You cannot edit the file.

Printing the thesis

  • You can print the thesis for your personal study or research use.
  • Aalto University students and staff members may print black-and-white prints on the PrintingPoint devices when using the computer with personal Aalto username and password. Color printing is possible using the printer u90203-psc3, which is located near the customer service. Color printing is subject to a charge to Aalto University students and staff members.
  • Other customers can use the printer u90203-psc3. All printing is subject to a charge to non-University members.
Location:P1 Ark TF80     | Archive
Keywords:npn bipolar transistor
BiCMOS
BeCMOS
npn-bipolaaritransistori
BiCMOS
BeCMOS
Abstract (fin):Työn tarkoituksena oli suunnitella npn-bipolaaritransistori MAS Oy:n (Micro Analog Systems) 1,2 µm:n minimiviivanleveydellä toteutettuun BeCMOS-prosessiin.
Bipolaartransistorille annettiin seuraavat spesifikaatiot: virtavahvistuksen beta tulee olla vähintään 80, Early-jännitteen V_A vähintään 100 V ja rajataajuuden f_T vähintään 60 MHz 1 µA:n kollektorivirralla ja 2 V kollektorijännitteellä.
Lisäksi tuli tutkia, voitiinko kyseinen transistori toteuttaa vaihtamalla n-tyyppinen kollektoriallas PMOSFET:n n-altaaseen.

Suunnittelun lähtökohdaksi otettiin ympyräsymmetristä rakennetta muistuttava oktagonaalinen transistori ja minimipinta-alalla toteutettu neliönmallinen transistori.
Molemmista transistoreista luotiin kaksi eri variaatiota vaihtamalla emitterin ja kannan paikkaa.
Suunnittelu aloitettiin simuloimalla Silvacon Virtual Wafer Fab ohjelmistolla oktagonaalista transistoria, jossa emitteri on keskellä.
LASI-maskinpiirto-ohjelmalla piirrettiin kaikille transistoreille testirakenteet.
Simulaatioiden perusteella laadittiin prosessiparametrit 15 kiekon testisarjaa varten.
Testikiekoilla tutkittiin yhteensä 36 eri prosessia.

Mittaustulosten perusteella spesifikaatiot täytti vain kollektorialtaalla toteutettu oktagonaalinen transistori, jossa emitteri on keskellä.
Vastaavan neliönmallisen transistorin tasavirtaominaisuudet (beta ja V_(A)) olivat hieman huonommat, mutta sen vaihtovirtaominaisuudet (f_(T)) olivat yli kaksi kertaa paremmat kuin oktagonaalisen transistorin vaihtovirtaominaisuudet.
Yksikään transistori ei toteuttanut spesifikaatioita, kun kollektoriallas vaihdettiin PMOSFET:n n-altaaseen.
Edellä mainitulla oktagonaalisella transistorilla parhaan prosessin mittaustulokset olivat 70, 90 V ja 110 MHz.
Transistorit, joiden emitteri sijaitsi kannan ja kollektorin välissä, todettiin olevan alttiita maskien kohdistusvirheille, mikä heikensi mittaustuloksia.
Kohdistusvirheiden välttämiseksi kantamaskin reuna olisi pitänyt vetää selvästi pidemmälle emitterimaskin yli kuin nyt käytetty 0,6 µm.
ED:2003-09-02
INSSI record number: 19905
+ add basket
« previous | next »
INSSI