search query: @supervisor Lipsanen, Harri / total: 37
reference: 9 / 37
« previous | next »
Author:Kakko, Joona-Pekko
Title:Selective-Area Metalorganic Vapour Phase Epitaxy of Gallium Arsenide Nanowires
Galliumarsenidinanolankojen selektiivinen kasvatus metallo-orgaanisella kaasufaasiepitaksialla
Publication type:Master's thesis
Publication year:2013
Pages:ix + 68 s. + liitt. 6      Language:   eng
Department/School:Mikro- ja nanotekniikan laitos
Main subject:Mikro- ja nanotekniikka   (S3010)
Supervisor:Lipsanen, Harri
Instructor:Dhaka, Veer
Electronic version URL: http://urn.fi/URN:NBN:fi:aalto-201304161898
OEVS:
Electronic archive copy is available via Aalto Thesis Database.
Instructions

Reading digital theses in the closed network of the Aalto University Harald Herlin Learning Centre

In the closed network of Learning Centre you can read digital and digitized theses not available in the open network.

The Learning Centre contact details and opening hours: https://learningcentre.aalto.fi/en/harald-herlin-learning-centre/

You can read theses on the Learning Centre customer computers, which are available on all floors.

Logging on to the customer computers

  • Aalto University staff members log on to the customer computer using the Aalto username and password.
  • Other customers log on using a shared username and password.

Opening a thesis

  • On the desktop of the customer computers, you will find an icon titled:

    Aalto Thesis Database

  • Click on the icon to search for and open the thesis you are looking for from Aaltodoc database. You can find the thesis file by clicking the link on the OEV or OEVS field.

Reading the thesis

  • You can either print the thesis or read it on the customer computer screen.
  • You cannot save the thesis file on a flash drive or email it.
  • You cannot copy text or images from the file.
  • You cannot edit the file.

Printing the thesis

  • You can print the thesis for your personal study or research use.
  • Aalto University students and staff members may print black-and-white prints on the PrintingPoint devices when using the computer with personal Aalto username and password. Color printing is possible using the printer u90203-psc3, which is located near the customer service. Color printing is subject to a charge to Aalto University students and staff members.
  • Other customers can use the printer u90203-psc3. All printing is subject to a charge to non-University members.
Location:P1 Ark Aalto  834   | Archive
Keywords:gallium arsenide
nanowire
selective-area metalorganic vapour phase epitaxy
selective-area epitaxy
gallium-assisted
photoluminescence
galliumarsenidi
nanolanka
selektiivinen kasvatus
metallo-orgaaninenkaasufaasiepitaksia
gallium-avusteinen
fotoluminesenssi
Abstract (eng):III--V compound nanowires (NWs) are a promising platform for the next generation optoelectronic and nanophotonic devices.
A key challenge for the exploitation of III--V NWs is the positioned growth of vertically aligned NWs.
In this work, selective-area epitaxy (SAE) of GaAs NWs was studied using an atmospheric pressure metalorganic vapour phase epitaxy system.
Vertically aligned, position-controlled GaAs NWs were successfully grown on (111) orientated Si and GaAs substrates.
Electron beam lithography was used for patterning of the substrates to determine the positions and the diameters of the NWs.
The GaAs NWs were characterized using scanning electron microscopy, transmission electron microscopy (TEM), electrical transport measurements and micro-photoluminescence (µ-PL) measurements.
Statistical multivariate linear regression models for the NW diameter and length were compiled from the measured lengths and diameters of the NWs grown on GaAs.
A similar model was developed to predict the yield of NWs grown on Si.
It was concluded, that the NWs grown on GaAs are predominantly of a wurzite (WZ) phase, suggested from a single NW µ-PL measurements at 77 K.
Schottky behaviour was observed from the two--terminal single NW electrical transport measurements, suggesting further improvement is required to achieve ohmic behaviour.
On the contrary, the NWs grown on Si contain numerous stacking faults and consist of both zincblende (ZB) and WZ phases as observed from the TEM and the µ-PL measurements.
Successful passivation of the NWs was achieved with a 40 nm thick higher band gap AlGaAs shell, resulting in two orders of magnitude enhancement in the PL intensity at room temperature.
The results of this work could be useful in the design of GaAs NW based devices.
Abstract (fin):III--V -puolijohteiden nanolangat ovat varteenotettava alusta seuraavan sukupolven optoelektroniikan ja nanofotoniikan sovelluksille.
Suurin haaste näiden nanolankojen laajalle käytölle on niiden kasvattaminen pystysuoraan ennalta määrättyihin paikkoihin.
Tässä työssä tutkittiin GaAs-nanolankojen selektiivistä kasvattamista metallo-orgaanisella kaasufaasiepitaksialla.
Pystysuoria, haluttuun paikkaan sijoitettuja GaAs-nanolankoja saatiin onnistuneesti kasvatettua (111)-kidesuuntaisille pii- ja GaAs-alustakiteille.
Nanolankojen paikka ja halkaisija määritettiin elektronisuihkulitografialla.
GaAs-nanolankoja tutkittiin elektronimikroskopialla, sähköisillä mittauksilla ja mikrofotoluminenssimittauksilla (µ-PL).
GaAs-alustakiteelle kasvatetuista GaAs-nanolangoista mitattiin lävistäjät ja pituudet ja luotiin niille usean selittäjän lineaariset regressiomallit.
Samanlainen tilastollinen malli luotiin piialustakiteelle kasvatettujen GaAs-nanolankojen tuotolle.
Havaittiin, että GaAs-alustakiteelle kasvatetut nanolangat ovat enimmäkseen wurtsiittia, mikä voitiin päätellä yksittäisen nanolangan µ-PL-mittauksista (77 K).
Yksittäisille nanolangoille tehdyissä sähköisissä mittauksissa havaittiin ohmisen kontaktin sijasta Schottky-käyttäytyminen, mikä antaa aihetta jatkotutkimukselle.
Piille kasvatettujen nanolankojen havaittiin sisältävän paljon pinousvikoja ja niiden hilarakenteen todettiin koostuvan sekä sinkkivälkkeestä että wurtsiitista.
Nanolankojen PL-intensiteettiä onnistuttiin parantamaan jopa satakertaiseksi passivoimalla ne AlGaAs-kuorilla sekä pienentämällä nanolankojen keskinäistä etäisyyttä ja kuvioidun aukon kokoa.
Työssä saavutetut tulokset voivat osoittautua hyödyllisiksi nanolankasovelluksia suunniteltaessa.
ED:2013-05-21
INSSI record number: 46727
+ add basket
« previous | next »
INSSI