search query: @keyword pii / total: 39
reference: 28 / 39
Author: | Lankinen, Aapo |
Title: | Puolijohderöntgendetektorien laskennallinen mallinnus |
Simulation of semiconductor x-ray detectors | |
Publication type: | Master's thesis |
Publication year: | 2003 |
Pages: | iv + 41 Language: fin |
Department/School: | Sähkö- ja tietoliikennetekniikan osasto |
Main subject: | Optoelektroniikka (S-104) |
Supervisor: | Tuomi, Turkka |
Instructor: | Sipilä, Heikki |
OEVS: | Electronic archive copy is available via Aalto Thesis Database.
Instructions Reading digital theses in the closed network of the Aalto University Harald Herlin Learning CentreIn the closed network of Learning Centre you can read digital and digitized theses not available in the open network. The Learning Centre contact details and opening hours: https://learningcentre.aalto.fi/en/harald-herlin-learning-centre/ You can read theses on the Learning Centre customer computers, which are available on all floors.
Logging on to the customer computers
Opening a thesis
Reading the thesis
Printing the thesis
|
Location: | P1 Ark S80 | Archive |
Keywords: | x-ray detector pin-diode dark current multidimensional Newton iteration silicon galliumarsenide germanium röntgendetektori p-i-n -diodi puolijohde heterorakenne pimeävirta moniulotteinen Newtonin iteraatio pii galliumarsenidi germanium |
Abstract (fin): | Työssä kehitettiin tietokoneohjelma, jolla voidaan laskea puolijohteiden perusyhtälöiden avulla p-i-n -röntgendetektorien virrantiheyspotentiaalikäyriä. Ohjelmalla voidaan myös laskea diodin sisäisen potentiaalin muotoa ja varauksenkuljettajakonsentraatioita diodin reunasta mitatun matkan funktiona. Ohjelma laskee yksiulotteisia puolijohderakenteita, ja se perustuu puolijohteiden perusyhtälöistä diskretoimalla muodostettuun differenssiyhtälöryhmään. Differenssiyhtälöryhmä ratkaistaan moniulotteisen Newtonin iteraation avulla, mihin käytetään Gaussin algoritmiin perustuvaa lineaarisen yhtälöryhmän ratkaisualgoritmia. Piistä tehdylle p-i-n -diodille laskettuja numeerisia tuloksia verrattiin analyyttisiin, ja todettiin, että analyyttisen mallin puutteet huomioiden tulokset olivat hyvin yhteensopivia. Shockley-Read-Hall -rekombinaation ja diodin i-kerroksen paksuuden todettiin vaikuttavan piidiodin vuotovirrantiheyteen voimakkaasti. Heterorakenteita tutkittiin kuvitteellisen pii-germanium-pii-diodin ja fysikaalisesti realistisen galliumarsenidi-germanium-galliumarsenidi -diodin avulla. Heterorakenteen todettiin pienentävän molemmissa tapauksissa diodin vuotovirrantiheyttä verrattuna pelkästään germaniumista tehtyyn diodiin. Lisäksi i-kerroksen paksuuden vaikutus vuotovirtaan selvitettiin. |
ED: | 2003-06-30 |
INSSI record number: 19738
+ add basket
INSSI