search query: @keyword voltage-controlled oscillator / total: 4
reference: 3 / 4
Author: | Sivonen, Pete |
Title: | Integration of intermediate frequency circuits for base station applications |
Välitaajuuspiirien integrointi tukiasemasovellutuksissa | |
Publication type: | Master's thesis |
Publication year: | 1999 |
Pages: | 83 Language: eng |
Department/School: | Sähkö- ja tietoliikennetekniikan osasto |
Main subject: | Piiritekniikka (S-87) |
Supervisor: | Halonen, Kari |
Instructor: | Alinikula, Petteri |
OEVS: | Electronic archive copy is available via Aalto Thesis Database.
Instructions Reading digital theses in the closed network of the Aalto University Harald Herlin Learning CentreIn the closed network of Learning Centre you can read digital and digitized theses not available in the open network. The Learning Centre contact details and opening hours: https://learningcentre.aalto.fi/en/harald-herlin-learning-centre/ You can read theses on the Learning Centre customer computers, which are available on all floors.
Logging on to the customer computers
Opening a thesis
Reading the thesis
Printing the thesis
|
Location: | P1 Ark S80 | Archive |
Keywords: | CMOS intermediate frequency low-noise amplifier down-conversion mixer voltage-controlled oscillator välitaajuus vähäkohinainen vahvistin alassekoitin jänniteohjattu oskillaattori |
Abstract (fin): | Diplomityössä on tutkittu tukiaseman välitaajuisten osien integrointia BiCMOS-tekniikalla. Erilaisien vähäkohinaisien vahvistimien, sekoittimien ja jänniteohjattujen oskillaattoreiden ominaisuuksia on vertailtu. Aluksi esitellään vähäkohinaisien vahvistimien suunnitteluun liittyvät peruskäsitteet, käsitellään toteutetut balansoidut MOSFET yhteis-hila-vahvistinkytkennät ja esitetään niiden simulointitulokset. Muiden vaihtoehtoisten topologioiden ominaisuuksia käsitellään. Kahden toteutetun vahvistimen mittaustulokset esitetään. Sekoittimiin liittyvät peruskäsitteet käydään läpi. Balansoidun FET-rengas-sekoitin-topologian valinta perustellaan ja kytkennän simulointitulokset esitellään. Simulointituloksia verrataan mittaustuloksiin. Jänniteohjattujen oskillaattorien perusominaisuudet esitellään. Eri topologioita vertaillaan ja esitetään valitun balansoidun ristiinkytketyn MOSFET jänniteohjatun oskillaattorin simulointi- ja mittaustulokset. Lopuksi esitetään koko toteutetun välitaajuisosan simulointitulokset. Simulointituloksia verrataan mittaustuloksiin. Kaikki toteutetut piirirakenteet ovat balansoituja. Tiukkojen lineaarisuusvaatimuksien takia kaikki piirit päätettiin toteuttaa MOS-transistoreilla. |
ED: | 1999-05-04 |
INSSI record number: 14228
+ add basket
INSSI