search query: @instructor Hakonen, Pertti J. / total: 4
reference: 3 / 4
Author: | Roschier, Leif |
Title: | Fabrication of single electron transistor using scanning probe manipulation |
Yhden elektronin transistorin valmistus atomivoimamikroskoopin avulla | |
Publication type: | Master's thesis |
Publication year: | 1999 |
Pages: | 61 Language: eng |
Department/School: | Teknillisen fysiikan ja matematiikan osasto |
Main subject: | Materiaalifysiikka (Tfy-44) |
Supervisor: | Salomaa, Martti M. |
Instructor: | Hakonen, Pertti J. ; Paalanen, Mikko A. |
OEVS: | Electronic archive copy is available via Aalto Thesis Database.
Instructions Reading digital theses in the closed network of the Aalto University Harald Herlin Learning CentreIn the closed network of Learning Centre you can read digital and digitized theses not available in the open network. The Learning Centre contact details and opening hours: https://learningcentre.aalto.fi/en/harald-herlin-learning-centre/ You can read theses on the Learning Centre customer computers, which are available on all floors.
Logging on to the customer computers
Opening a thesis
Reading the thesis
Printing the thesis
|
Location: | P1 Ark TF80 | Archive |
Abstract (fin): | Hiili-nanoputkilot löydettiin 1991. Ne edustavat uudentyyppistä materiaalia, jolla on potentiaalisia sovellutuksia nanoteknologiassa ja nanoelektroniikassa. Nanoputkilot voidaan ajatella grafiitti-liuskoiksi, jotka on kääritty sylinterin muotoon. Nanoputkiloita on kahta eri tyyppiä: yhden seinämän putkiloita ja moniseinäisiä putkiloita, jotka koostuvat monista sisäkkäisistä sylintereistä. Putkilot ovat sähköisiltä ominaisuuksiltaan joko metallisia tai puolijohtuvia riippuen siitä miten grafiittiliuskat ovat kääritty rullalle. Yhden elektronin transistori, joka on herkin tunnettu varauksenilmaisin, keksittiin 1987. Sen toiminta perustuu laitteen toiminnallisen osan pieneen kokoon, jolla on niin pieni kapasitanssi, että yhdenkin elektronin lisäys muuttaa sen energiaa merkittävästi. Tässä diplomityössä valmistettiin yhden elektronin transistori puolijohtavasta moniseinäisestä nanoputkilosta siirtämällä se atomivoimamikroskoopin kärjellä kahden 250 nm etäisyydellä toisistaan olevan kulta-johtimen väliin. Johtimet valmistettiin elektronisuihkulitografialla piikiekosta lohkaistulle 6 x 10 mm[2] kokoiselle alustalle. Komponentista mitattiin sähköiset ominaisuudet kylmimmillään 120 mK:n lämpötilassa. Mittausten perusteella määriteltiin komponentin tunneliliitosten kapasitanssit ja vastukset. Yhden elektronin transistorissa on kaksi tunneliliitosta, joiden virta-jännite käyttäytymistä tutkittiin teoreettisesti. Tässä mallinnettiin tunneliliitoksen potentiaalivallin muotoa ottaen huomioon liitoksen geometria sekä peilikuvavarauksista aiheutuva voima. Tuloksena oli, että pienillä tunneliliitoksen yli olevilla jännitteillä, joka oli tilanne mittauksissa, ei tunneloinnista seurannut merkittävää epälineaarisuutta virran jänniteriippuvuuteen. |
ED: | 1999-06-18 |
INSSI record number: 14489
+ add basket
INSSI