search query: @keyword integroidut piirit / total: 40
reference: 31 / 40
Author: | Saari, Ville |
Title: | Kaksiasteisen tehovahvistimen integrointi matkaviestinjärjestelmiin |
Integration of two-stage power amplifier for telecommunicationsystem | |
Publication type: | Master's thesis |
Publication year: | 2002 |
Pages: | 83 Language: fin |
Department/School: | Sähkö- ja tietoliikennetekniikan osasto |
Main subject: | Piiritekniikka (S-87) |
Supervisor: | Halonen, Kari |
Instructor: | Ryynänen, Jussi |
OEVS: | Electronic archive copy is available via Aalto Thesis Database.
Instructions Reading digital theses in the closed network of the Aalto University Harald Herlin Learning CentreIn the closed network of Learning Centre you can read digital and digitized theses not available in the open network. The Learning Centre contact details and opening hours: https://learningcentre.aalto.fi/en/harald-herlin-learning-centre/ You can read theses on the Learning Centre customer computers, which are available on all floors.
Logging on to the customer computers
Opening a thesis
Reading the thesis
Printing the thesis
|
Location: | P1 Ark S80 | Archive |
Keywords: | integrated circuits power amplifier thermal instability nonlinearity radio frequency SiGe integroidut piirit tehovahvistin terminen epästabiilisuus lineaarisuus radiotaajuus SiGe |
Abstract (fin): | Kolmannen sukupolven matkaviestinjärjestelmät asettavat haasteita tehovahvistin- suunnitteluun, sillä ne vaativat lineaarisia tehovahvistimia vaihtuvaverhokäyräisestä modulaatiosta johtuen. Lisäksi integrointiasteen nostaminen vaatii käytetyltä teknologialta sellaisia ominaisuuksia, jotka mahdollistavat tulevaisuudessa sekä analogia- että digitaalilohkojen integroinnin samalle mikrosirulle. Tämän vuoksi diplomityössä prosessoitiin integroitu kaksiasteinen A-luokan tehovahvistin laajakaistaiseen koodijakojärjestelmään käyttäen 0,35 µm SiGe-BiCMOS -prosessia. Integroidun kaksiasteisen tehovahvistimen suunnittelussa kiinnitettiin erityistä huomiota tehovahvistimen mitoittamiseen optimoimalla eri asteiden suorituskyky. Työn alussa on käsitelty lyhyesti tehovahvistinteoriaa sekä esitelty järjestelmä, johon tehovahvistin on suunniteltu. Tehovahvistimen teoriaosuudessa on keskitytty erityyppisten bipolaaritransistorien termiseen epästabiilisuuteen sekä tehovahvistimen lineaarisuuteen ja linearisointimenetelmiin. Tämän jälkeen on esitetty työssä toteutetun tehovahvistimen mitoitus ja suunnittelu. Vahvistinasteiden välisovituksen suunnittelu on integroidun kaksiasteisen tehovahvistimen haastavimpia asioita. Mikrosiru ja piirilevy pyrittiin mallintamaan simulaattorissa mahdollisimman tarkasti, ja muun muassa mikrosirun parasiittiset kapasitanssit huomioitiin. Mikrosirun piirikuviosuunnittelussa otettiin huomioon, että tehovahvistimen tulosignaalin sekä ajuriasteen ja tehoasteen lähtösignaalien on oltava ortogonaalisia vahvistinasteiden keskinäiskytkeytymisten välttämiseksi. Tulon ja lähdön sovituspiireissä huomioitiin piirilevyn mikroliuskat, ja itse sovituspiirit asetettiin mahdollisimman lähelle mikrosirua. Lopuksi työssä on esitetty toteutetun kaksiasteisen tehovahvistimen mittaustulokset. |
ED: | 2002-05-02 |
INSSI record number: 18494
+ add basket
INSSI