search query: @keyword integroidut piirit / total: 40
reference: 7 / 40
Author: | Sandström, Dan |
Title: | Design of a CMOS amplifier for millimeter-wave frequencies |
Millimetriaaltoalueen CMOS vahvistimen suunnittelu | |
Publication type: | Master's thesis |
Publication year: | 2008 |
Pages: | 73 Language: eng |
Department/School: | Elektroniikan, tietoliikenteen ja automaation tiedekunta |
Main subject: | Piiritekniikka (S-87) |
Supervisor: | Halonen, Kari |
Instructor: | Varonen, Mikko ; Kärkkäinen, Mikko |
OEVS: | Electronic archive copy is available via Aalto Thesis Database.
Instructions Reading digital theses in the closed network of the Aalto University Harald Herlin Learning CentreIn the closed network of Learning Centre you can read digital and digitized theses not available in the open network. The Learning Centre contact details and opening hours: https://learningcentre.aalto.fi/en/harald-herlin-learning-centre/ You can read theses on the Learning Centre customer computers, which are available on all floors.
Logging on to the customer computers
Opening a thesis
Reading the thesis
Printing the thesis
|
Location: | P1 Ark S80 | Archive |
Keywords: | integrated circuits CMOS MMIC millimeter-wave frequency low noise amplifier integroidut piirit CMOS MMIC millimetriaaltoalue vähäkohinainen vahvistin |
Abstract (fin): | Nopeiden langattomien tiedonsiirtojärjestelmien kehitys on edistänyt integroitujen piirien tutkimusta ja suunnittelua millimetriaaltoalueella. Tulevaisuuden sovelluksiin kuuluvat mm. huippunopea langaton lähiverkko 60 GHz:n ympäristössä ja autotutka 77 GHz:n taajuudella. Tällä hetkellä mm-aaltoalueen tarjoamia etuja, joita ovat mm. laajat lupavapaat taajuuskaistat ja vähäiset häiriöt muista langattomista laitteista, ei juurikaan hyödynnetä kuluttajasovelluksissa. Syynä on ollut käytettyjen yhdistepuolijohdeprosessien hinta ja valmistuksen toistettavuus. Pii-pohjaisen CMOS-teknologian nopea viivanleveyden kaventuminen on mahdollistanut mm-aaltoalueen integroitujen piirien suunnittelemisen digitaalisten piiriosien kanssa täysin yhteensopivilla prosesseilla. Integrointiasteen kasvattaminen tuo säästöjä ja lisää tuotteiden luetettavuutta, jotka ovat molemmat erittäin tärkeitä ominaisuuksia tuotannon kannalta. Tässä työssä esitellään mm-aaltoalueen vahvistimen suunnittelemiseen liittyvää teoriaa ja sen soveltamista käytännön piirisuunnitteluun. Lisäksi tutkitaan passiivisten ja aktiivisten piirielementtien mallinnusta piirisuunnittelun kannalta. Suunniteltu vahvistin on tarkoitettu kattamaan osa nk. E-taajuusalueesta (60-90 GHz). Täysi yhteensopivuus digitaalisten piiriosien kanssa saavutetaan käyttämällä 65 nm:n pii-pohjaista CMOS prosessia ilman lisäoptioita. Simuloitu suorituskyky vahvistetaan mittauksin, jotka tapahtuvat suoraan pii-piiriltä mittakärkien avulla. Poikkeamat simuloiduista tuloksista käsitellään, niiden syyt paikannetaan ja vahvistetaan uusilla simulaatioilla. Vahvistimen mitattu keskitaajuus on 86 GHz, jolla saavutetaan 12 dB:n vahvistus ja 8.8 dB:n kohinaluku käyttäen 1.2 V:n käyttöjännitettä. Vahvistimen pinta-ala on vain 0.42 mm2. Tulokset ovat vertailukelpoisia, tai parempia, kuin muilla julkaistuilla 80-100 GHz:n taajuusalueella toimivilla CMOS vahvistimilla. |
ED: | 2008-07-31 |
INSSI record number: 35931
+ add basket
INSSI