search query: @keyword low-power / total: 5
reference: 3 / 5
Author: | Kalanti, Antti |
Title: | The design of low-power, low-voltage continuous-time delta-sigma modulator |
Matalatehoisen ja matalakäyttöjännitteisen jatkuva-aikaisen delta-sigma modulaattorin suunnittelu | |
Publication type: | Master's thesis |
Publication year: | 2009 |
Pages: | 94 Language: eng |
Department/School: | Elektroniikan, tietoliikenteen ja automaation tiedekunta |
Main subject: | Piiritekniikka (S-87) |
Supervisor: | Halonen, Kari |
Instructor: | Snygg, Mikko |
OEVS: | Electronic archive copy is available via Aalto Thesis Database.
Instructions Reading digital theses in the closed network of the Aalto University Harald Herlin Learning CentreIn the closed network of Learning Centre you can read digital and digitized theses not available in the open network. The Learning Centre contact details and opening hours: https://learningcentre.aalto.fi/en/harald-herlin-learning-centre/ You can read theses on the Learning Centre customer computers, which are available on all floors.
Logging on to the customer computers
Opening a thesis
Reading the thesis
Printing the thesis
|
Location: | P1 Ark S80 | Archive |
Keywords: | integrated circuit continuous-time A/D-converter low-power delta-sigma low-voltage integroitu piiri jatkuva-aikainen A/D-muunnin matala tehonkulutus delta-sigma matala käyttöjännite |
Abstract (fin): | Tämä työ kuvaa matalatehoisen ja matalakäyttöjännitteisen toisen asteen jatkuva-aikaisen alipäästö-tyyppisen delta-sigma analogia-digitaali-modulaattorin suunnitteluprosessin. Modulaattorin signaalikaista on 10 kHz, käyttöjännitealue 1,1 V:sta 3,6 V:n ja lämpötila- alue on -40 °C to 85 cc. Tehonkulutus 1,1 V:n käyttöjännitteellä on tyypillisesti 60 pW. Koska silmukkasuodattimen siirtofunktio ei käytännössä muutu, jos ylinäytteistyssuhde muuttuu 64:stä 80:een, modulaattorin tarkkuutta voidaan säätää yhdellä bitillä. Suunniteltu modulaattori saavuttaa ennen piirikuvio-vaihetta 12 tehollista bittiä ylinäytteistyssuhteella 80 (1,6 MHz näytteistystaajuudella) ja 11 tehollista bittiä ylinäytteistyssuhteella 64 (1,28 MHz näytteistystaajuudella). Suunnitellun modulaattorin odotetaan saavuttavan suurillakin parasiittisilla kapasitansseilla ainakin 10 ja 11 tehollista bittiä ylinäytteistyssuhteilla 64 ja 80. Työ tehtiin Micro Analog Systems Oy:lle. Yhtiön taloudellisesta tilanteesta johtuen, työtä ei valitettavasti voinut jatkaa piirikaavio-vaiheesta piirikuvio-vaiheeseen. Työ suunniteltiin 0,35 pm:in Matalan-kynnysjännitteen CMOS prosessille. |
ED: | 2009-05-05 |
INSSI record number: 37362
+ add basket
INSSI