search query: @keyword ammoniakki / total: 6
reference: 6 / 6
« previous | next »
Author: | Puurunen, Riikka |
Title: | Alumiininitridin valmistus huokoiselle silikalle atomikerrosepitaksialla |
Processing of aluminium nitride on porous silica by atomic layer epitaxy | |
Publication type: | Master's thesis |
Publication year: | 1998 |
Pages: | 109 Language: fin |
Department/School: | Kemian tekniikan osasto |
Main subject: | Teknillinen kemia (Kem-40) |
Supervisor: | Krause, Outi |
Instructor: | Haukka, Suvi ; Iiskola, Eero |
OEVS: | Electronic archive copy is available via Aalto Thesis Database.
Instructions Reading digital theses in the closed network of the Aalto University Harald Herlin Learning CentreIn the closed network of Learning Centre you can read digital and digitized theses not available in the open network. The Learning Centre contact details and opening hours: https://learningcentre.aalto.fi/en/harald-herlin-learning-centre/ You can read theses on the Learning Centre customer computers, which are available on all floors.
Logging on to the customer computers
Opening a thesis
Reading the thesis
Printing the thesis
|
Location: | P1 Ark TKK 4148 | Archive |
Keywords: | alumiininitridi trimetyylialumiini ammoniakki ALE kasvatus FTIR |
Abstract (fin): | Diplomityön kirjallisuusosassa kartoitettiin metallinitridien pääasialliset valmistusmenetelmät ja metallinitridien käyttö katalyysissa. Kaikki valmistusmenetelmätyypit käsiteltiin, mutta erityisen kiinnostuksen kohteena oli ominaispinta-alaltaan suurten metallinitridien valmistus. Katalyyttikäytössä huomioitiin myös kaikki vasta tutkimuksen alla olevat sovellukset, koska kaupallisia sovelluksia ei metallinitridikatalyyteilla vielä ole. Kokeellisessa osassa oli tavoitteena kasvattaa huokoisen silikan pintaan alumiininitridikerros atomikerrosepitaksialla (ALE-menetelmä). Lähtöaineina käytettiin trimetyylialumiinia ja ammoniakkia, joiden toisistaan huuhtelulla erotettuja, kyllästäviä kaasufaasireaktioita vuoroteltiin kantajan pinnalla. Trimetyylialumiinin reaktiolämpötilana käytettiin 423 K ja ammoniakin reaktiota tutkittiin eri lämpötiloissa välillä 423-673 K. Useiden kierrosten kasvatuksessa ammoniakin reaktiolämpötilaksi valittiin 673 K. Ennen reaktioita silika kuumennettiin ilmassa lämpötilassa 1023 tai 473 K reaktiivisten kohtien tyypin ja lukumäärän säätämiseksi. Pinnat karakterisoitiin alkuainemääritysten ja inertisti mitattujen FTIR-spektrien perusteella. Alumiininitridin kasvatus huokoisen silikan pintaan onnistui. Trimetyylialumiinin reaktioiden aikana alumiinin pintatiheys kasvoi tasaisesti keskimäärin 2,3+-0,3 Al/nm[2]. Typpi-alumiini-suhde oli koko kasvatuksen ajan noin yksi, mikä on alumiininitridin (AIN) stoikiometria. Hiiltä jäi valmistettuun pintaan epäpuhtautena noin 0,8+-0,2 C/nm[2], vaikka hiilipitoisuutta yritettiin pienentää esikäsittelemällä silika ammoniakilla ennen reaktiota. Alumiininitridipinta oli erittäin herkkä ilmankosteudelle. Kuumennus typessä lämpötilassa 873 K paransi pinnan kosteudenkestoa. Alumiininitridikerroksella päällystetyn silikan pintaan kiinnitettiin kaasufaasireaktiolla koboltti(III)asetyyliasetonaattia. Ligandit poistettiin vedyllä, minkä jälkeen pinnan katalyyttinen aktiivisuus testattiin alustavasti tolueenin hydrauksessa lämpötiloissa 373+-473 K. Koboltilla modifioitu pinta oli hydrauksessa katalyyttisesti aktiivinen. |
ED: | 1999-02-02 |
INSSI record number: 13846
+ add basket
« previous | next »
INSSI