search query: @keyword LDMOS / total: 6
reference: 2 / 6
Author: | Kunnari, Matti |
Title: | LDMOS Power Amplifier Design for WCDMA Base Stations |
LDMOS tehovahvistimen suunnittelu WCDMA-tukiasemiin | |
Publication type: | Master's thesis |
Publication year: | 2002 |
Pages: | 59 Language: eng |
Department/School: | Sähkö- ja tietoliikennetekniikan osasto |
Main subject: | Piiritekniikka (S-87) |
Supervisor: | Halonen, Kari |
Instructor: | Kaunisto, Risto |
OEVS: | Electronic archive copy is available via Aalto Thesis Database.
Instructions Reading digital theses in the closed network of the Aalto University Harald Herlin Learning CentreIn the closed network of Learning Centre you can read digital and digitized theses not available in the open network. The Learning Centre contact details and opening hours: https://learningcentre.aalto.fi/en/harald-herlin-learning-centre/ You can read theses on the Learning Centre customer computers, which are available on all floors.
Logging on to the customer computers
Opening a thesis
Reading the thesis
Printing the thesis
|
Location: | P1 Ark S80 | Archive |
Keywords: | WCDMA base station power amplifier load-pull LDMOS WCDMA tukiasema tehovahvistin LDMOS load-pull |
Abstract (fin): | Tässä diplomityössä käsitellään ja tutkitaan LDMOS-transistoriteknologian soveltuvuutta WCDMA-järjestelmän tukiaseman tehovahvistinsovelluksiin. Diplomityön ensimmäinen osa käsittelee yleistä tehovahvistimen teoriaa ja erityisiä WCDMA-järjestelmän vaatimuksia tehovahvistimelta. Lisäksi esitetään suunnittelun lähtökohtana oleva load-pull -menetelmä sekä LDMOS-transistoriteknologia ja sen ominaisuudet. Toisessa osassa LDMOS-teknologian toimivuus ja sopivuus WCDMA-järjestelmän tukiaseman tehovahvistimeksi todennetaan suunnittelemalla AB-luokassa toimiva mahdollisimman lineaarinen ja hyötysuhteeltaan hyvä tehovahvistin käyttäen LDMOS-transistorin suursignaalimallia tietokonesimuloinneissa. Käytännön mittauksin varmistetaan vahvistimen toiminta vertaamalla mitattuja tuloksia suursignaalimallin antamiin simulointituloksiin sekä 3GPP:n määrittämiin vaatimuksiin. LDMOS-transistoriteknologia ja sen suursignaalimalli osoittautuivat soveliaiksi WCDMA-järjestelmän tukiaseman tehovahvististinsovelluksiin, ja suunnitellun tehovahvistimen parannetun version mitattu suorituskyky ylitti tyypilliset suorituskykyarvot, jotka transistorivalmistajat tuotteilleen lupaavat. Toisen version parannetun vahvistimen suorituskykyarvot ovat: P_(out) = 30 W, Gp = 13.5 dB, ACP = -45 dBc, kun P_(out, ave) = 4.4 W ja PAE = 17.5%. |
ED: | 2002-04-29 |
INSSI record number: 18472
+ add basket
INSSI