search query: @keyword CMOS / total: 68
reference: 45 / 68
Author: | Seppinen, Pauli |
Title: | Pienen viivanleveyden CMOS-teknologialla toteutettu suoramuunnosvastaanottimen etuaste |
A direct conversion RF front-end implemented with submicron CMOS technology | |
Publication type: | Master's thesis |
Publication year: | 1999 |
Pages: | 65 Language: fin |
Department/School: | Sähkö- ja tietoliikennetekniikan osasto |
Main subject: | Piiritekniikka (S-87) |
Supervisor: | Halonen, Kari |
Instructor: | Alinikula, Petteri |
OEVS: | Electronic archive copy is available via Aalto Thesis Database.
Instructions Reading digital theses in the closed network of the Aalto University Harald Herlin Learning CentreIn the closed network of Learning Centre you can read digital and digitized theses not available in the open network. The Learning Centre contact details and opening hours: https://learningcentre.aalto.fi/en/harald-herlin-learning-centre/ You can read theses on the Learning Centre customer computers, which are available on all floors.
Logging on to the customer computers
Opening a thesis
Reading the thesis
Printing the thesis
|
Location: | P1 Ark S80 | Archive |
Keywords: | CMOS LNA mixer direct conversion CMOS LNA sekoitin suoramuunnosvastaanotin |
Abstract (fin): | Työssä toteutettiin digitaalisuunnitteluun tarkoitetulla 0,21 mikrometriä CMOS-teknologialla suoramuunnosvastaanottimen etuaste. Toteutus aloitettiin tutustumalla kirjallisuustutkimuksen avulla MOS-transistorin lyhytkanavailmiöihin. Radiotaajuisten piirien toteutukseen CMOS-teknologialla liittyviä ongelmia mietitään mallien, komponenttien ja piiriratkaisujen kannalta. Työssä tuodaan esiin suoramuunnosvastaanottimen etuja ja ongelmia ja miten nämä vaikuttavat piirisuunnitteluun. Lisäksi työssä pohditaan piirikuvioon liittyviä aiheita. Työssä suunniteltuja piirilohkoja ovat vähäkohinainen vahvistin sekä FET-rengassekoitin. Simulointien perusteella vähäkohinaisen vahvistimen vahvistukseksi saatiin 19 dB ja kohinaluvuksi saatiin 2,2 dB. Sekoittimen jännitevaimennukseksi ja kohinaluvuksi simuloitiin 2,8 dB ja 7,3 dB. Koska puolijohdevalmistajalla oli ongelmia piirin valmistamisessa, ei piirien simulointituloksia päästy tarkistamaan. Työssä mitattiin kuitenkin samalla prosessilla toteutettu kela ja transistori sekä RFCMOS-prosessilla toteutettu transistori. Kelan mittaustuloksia verrataan alkuperäiseen malliin ja mittaustuloksien perusteella sovitettuun malliin. Sovitetun mallin simulointitulokset ja kelan mittaustulokset vastaavat hyvin toisiaan. Mitatun transistorin virta-jännite-ominaiskäyrästö ei vastannut simulointeja. Lisäksi mitatut S-parametrit osoittavat vahvistuksen olevan ainakin 4 dB simuloitua pienempi. Mallien huonouden vuoksi piirin toiminnassa on odotettavissa selviä puutteita. RFCMOS-prosessilla toteutetun transistorin mitatut S-parametrit vastasivat sitä vastoin hyvin simuloituja S-parametrejä. Työssä käytetyn CMOS-teknologian tehokas hyödyntäminen RF suunnitteluun vaatisi uusien mallien tekemistä. |
ED: | 1999-07-21 |
INSSI record number: 14684
+ add basket
INSSI