search query: @keyword CMOS / total: 68
reference: 26 / 68
Author: | Rantakari, Pekka |
Title: | Integroidun mikromekaanisen oskillaattorin toteuttaminen CMOS- ja SOI-teknologialla |
Implementation of micromechanical oscillator using CMOS and SOI technologies | |
Publication type: | Master's thesis |
Publication year: | 2004 |
Pages: | 89 Language: fin |
Department/School: | Sähkö- ja tietoliikennetekniikan osasto |
Main subject: | Mittaustekniikka (S-108) |
Supervisor: | Tittonen, Ilkka |
Instructor: | Koskenvuori, Mika |
OEVS: | Electronic archive copy is available via Aalto Thesis Database.
Instructions Reading digital theses in the closed network of the Aalto University Harald Herlin Learning CentreIn the closed network of Learning Centre you can read digital and digitized theses not available in the open network. The Learning Centre contact details and opening hours: https://learningcentre.aalto.fi/en/harald-herlin-learning-centre/ You can read theses on the Learning Centre customer computers, which are available on all floors.
Logging on to the customer computers
Opening a thesis
Reading the thesis
Printing the thesis
|
Location: | P1 Ark S80 | Archive |
Keywords: | micromechanics oscillator MEMS SOI CMOS mikromekaniikka oskillaattori MEMS SOI CMOS |
Abstract (fin): | Työssä suunniteltiin ja valmistettiin mikromekaanisella resonaattorilla ja CMOS-vahvistinpiirillä toteutettu oskillaattori. Oskillaattorin vahvistinpiiri mitoitettiin SOI-teknologialla valmistetun resonaattorin ominaisuuksien perusteella siten, että se vastaisi vaihekohinaltaan GSM-puhelimen 13 MHz:n referenssioskillaattorin suorituskykyä. Työssä esitetään oskillaattorin ja mekaanisen resonaattorin kannalta keskeiset teoreettiset tarkastelut, joiden pohjalta toteutettu Piercen oskillaattori voitiin suunnitella ja sen suorituskykyä arvioida. Teoreettisen tarkastelun tueksi oskillaattorin toiminta ja suorituskyky simuloitiin APLAC-piirisimulaattorilla. CMOS-prosessissa valmistettujen integroitujen vahvistimien suorituskyky analysoitiin mittaamalla niiden tasajännitetoiminta, taajuusvaste sekä kohinateho. Valmis oskillaattoripiiri rakennettiin PCB-alustalle liittämällä vahvistinpiirin sisältävä piisiru mikromekaanisen MEMS-sirun kanssa lankaliitoksilla. Toteutetun oskillaattorin suorituskyky todennettiin mittaamalla sen vaihekohinan spektri, pohjakohinan taso sekä tasavirtatehonkulutus. Oskillaattorin pohjakohinaksi mitattiin -147,2 dBc/Hz, joka saavutettiin tehonkulutuksella, jonka suuruus oli vain 250 µW. Oskillaattorin vaihekohinan mittaus rajoittui mittauslaitteiston dynaamiseen alueeseen (120 dB) antaen siis vaihekohinaksi alle -120 dBc/Hz 500 Hz etäisyydellä kantoaallosta. |
ED: | 2005-01-19 |
INSSI record number: 26669
+ add basket
INSSI