search query: @keyword Digitaalikamera / total: 7
reference: 6 / 7
Author: | Talonen, Mikko |
Title: | Pienen viivanleveyden CMOS kuvasensorit |
Small Linewidth CMOS Image Sensors | |
Publication type: | Master's thesis |
Publication year: | 2003 |
Pages: | 60 Language: fin |
Department/School: | Sähkö- ja tietoliikennetekniikan osasto |
Main subject: | Piiritekniikka (S-87) |
Supervisor: | Halonen, Kari |
Instructor: | Laiho, Mika |
OEVS: | Electronic archive copy is available via Aalto Thesis Database.
Instructions Reading digital theses in the closed network of the Aalto University Harald Herlin Learning CentreIn the closed network of Learning Centre you can read digital and digitized theses not available in the open network. The Learning Centre contact details and opening hours: https://learningcentre.aalto.fi/en/harald-herlin-learning-centre/ You can read theses on the Learning Centre customer computers, which are available on all floors.
Logging on to the customer computers
Opening a thesis
Reading the thesis
Printing the thesis
|
Location: | P1 Ark S80 | Archive |
Keywords: | CMOS image sensor digital camera active pixel sensor APS photodiode CMOS kuva-anturi kuvasensori digitaalikamera aktiivipikselisensori APS fotodiodi |
Abstract (fin): | Diplomityössä käsitellään kuvasensorin toteuttamista modernilta CMOS prosessilla. Aluksi käsitellään elektronisen kuvantamisen perusteet ja miten CMOS prosessilla voidaan toteuttaa kuvasensori. Tämän jälkeen kuvataan tyypillisen CMOS kuvasensorin rakenne, toiminta ja saavutettavissa olevat suoritusarvot. Työstä saatua tietoa on tarkoitus soveltaa kuvasensorin integroimiseen samalle piirille kuvankäsittelyyn tarkoitetun rinnakkaisprosessorin kanssa. Tällaisella rakenteella voidaan saavuttaa erittäin tehokas kuvantamisratkaisu konenäkösovelluksiin. Työhön liittyen suunniteltiin ja toteutettiin 64x64 pikselin aktiivipikselisensori ja testirakenne erilaisten fotodiodien vertailemiseksi. Molemmat rakenteet prosessoitiin 0,18µm ja kuuden metallikerroksen digitaali CMOS prosessilla. Sensorilla saavutettiin kahden voltin käyttöjännitteellä 1,8V/lx/s herkkyys, 52dB dynaaminen alue ja parhaimmillaan 37dB signaalikohinasuhde. Testirakenteen mittauksista saatiin selville, että n-kaivo p-substraatti fotodiodin spektrisen kvanttihyötysuhteen huippu on 430nm kohdalla ja n-diffuusio p-substraatti diodin 525nm kohdalla. Lisäksi havaittiin n-diffuusio p-substraatti diodin herkkyyden olevan neljä kertaa huonompi kuin n-kaivo p-substraatti diodin. |
ED: | 2003-11-10 |
INSSI record number: 20102
+ add basket
INSSI