search query: @instructor Svensk, Olli / total: 7
reference: 7 / 7
« previous | next »
Author: | Törmä, Pekka |
Title: | Galliumnitridi- ja alumiinigalliumnitridipohjaisten laserrakenteiden prosessointi ICP-menetelmällä |
ICP processing of gallium nitride and aluminium gallium nitride for laser structures | |
Publication type: | Master's thesis |
Publication year: | 2006 |
Pages: | vi + 73 Language: fin |
Department/School: | Sähkö- ja tietoliikennetekniikan osasto |
Main subject: | Optoelektroniikka (S-104) |
Supervisor: | Lipsanen, Harri |
Instructor: | Svensk, Olli |
OEVS: | Electronic archive copy is available via Aalto Thesis Database.
Instructions Reading digital theses in the closed network of the Aalto University Harald Herlin Learning CentreIn the closed network of Learning Centre you can read digital and digitized theses not available in the open network. The Learning Centre contact details and opening hours: https://learningcentre.aalto.fi/en/harald-herlin-learning-centre/ You can read theses on the Learning Centre customer computers, which are available on all floors.
Logging on to the customer computers
Opening a thesis
Reading the thesis
Printing the thesis
|
Location: | P1 Ark S80 | Archive |
Keywords: | gallium nitride aluminium gallium nitride etching semiconductor laser galliumnitridi alumiinigalliumnitridi ICP etsaus puolijohdelaser SEM |
Abstract (fin): | Tässä diplomityössä tutkittiin galliumnitridin ja alumiinigalliumnitridin prosessointia induktiivisesti kytketyllä plasmaetsauksella (ICP) laserrakenteiden valmistamista varten. Työ tehtiin Teknillisen korkeakoulun Optoelektroniikan laboratoriossa. Etsattujen rakenteiden profiilien ja pinnan morfologian tutkimiseen käytettiin elektronimikroskooppia, atomivoimamikroskooppia ja profilometria. Pientenkin etsauskammion happipitoisuuksien havaittiin aiheuttavan epätasaisen etsatun pinnan A1GaN:a etsattaessa. Tästä johtuen piidioksidimaski ei sovellu alumiinia sisältävien rakenteiden etsaukseen. Nikkelimaskia voidaan käyttää sekä GaN:n että A1GaN:n kanssa. GaN-seinämien todettiin etsautuvan tasaisesti C12/Ar-plasmalla. Korkealaatuisia A1GaN-rakenteita etsattaessa C12/Ar-plasmaan on lisättävä joko BC13:a tai SiC14:a estämään epätasaisen pinnan syntymistä. Prosessoiduilla A1GaN-näytteillä (alumiinipitoisuus 16 %) BC13:n kaasuvirtauksen osuuden oli oltava vähintään 20 % C12:n ja BC13:n virtausten yhteismäärästä. SiC14:n tapauksessa tarvittava virtausosuus oli vähintään 6,7 %. Prosessiparametrit lämpötilalle, paineelle, ionienergialle ja plasmatiheydelle määriteltiin suuren etsausnopeuden ja tasaisten etsausprofiilien saavuttamiseksi. Optimoidulla prosessilla valmistettiin optisesti pumpattu 400 nm aallonpituudella toimiva GaN-pohjainen puolijohdelaser. |
ED: | 2006-02-27 |
INSSI record number: 30674
+ add basket
« previous | next »
INSSI