search query: @keyword analog-to-digital / total: 7
reference: 2 / 7
Author: | Salomaa, Jarno |
Title: | Delta-sigma-analogia-digitaalimuunnin matalatehoisiin mikroanturisovelluksiin |
Delta-sigma analog-to-digital converter for low-power microsensor applications | |
Publication type: | Master's thesis |
Publication year: | 2011 |
Pages: | [10] + 74 Language: fin |
Department/School: | Mikro- ja nanotekniikan laitos |
Main subject: | Piiritekniikka (S-87) |
Supervisor: | Halonen, Kari |
Instructor: | Aaltonen, Lasse |
Electronic version URL: | http://urn.fi/URN:NBN:fi:aalto-201207022683 |
OEVS: | Electronic archive copy is available via Aalto Thesis Database.
Instructions Reading digital theses in the closed network of the Aalto University Harald Herlin Learning CentreIn the closed network of Learning Centre you can read digital and digitized theses not available in the open network. The Learning Centre contact details and opening hours: https://learningcentre.aalto.fi/en/harald-herlin-learning-centre/ You can read theses on the Learning Centre customer computers, which are available on all floors.
Logging on to the customer computers
Opening a thesis
Reading the thesis
Printing the thesis
|
Location: | P1 Ark Aalto 1393 | Archive |
Keywords: | sigma-delta analog-to-digital correlated double sampling high impedance common-mode reference switched capacitor integrated circuit microsensor delta-sigma analogia-digitaali korreloiva kaksoisnäytteistys korkeaimpedanssinen yhteismuodon referenssi kytkin-kondensaattori integroitu piiri mikroanturi |
Abstract (eng): | Miniature sensors made of silicon are becoming common due to their reliability, low price and small size. Often the output signal of the sensor system is required in digital form, which necessitates the implementation of an analog-to-digital converter. Increasing the level of integration of the system by integrating the interface electronics, including the analog-to-digital converter, as close to the sensor element as possible, is beneficial. The goal of this work is to design and implement an analog-to-digital converter suitable for low power microsensor applications. A second order delta-sigma analog-to-digital converter using a switched capacitor loop filter with a single bit quantizer is designed. It utilizes a novel correlated double sampling technique for operational amplifier noise reduction and offset compensation, and input double sampling for power saving. Also, a high impedance common-mode voltage reference scheme for power saving is introduced and implemented successfully. The circuit was implemented as an integrated circuit in 0.35 µm CMOS process technology. The measurement results are reported and can be summarized as a 83 dB signal-to-noise ratio and a 80 dB signal-to-noise-and-distortion ratio, on a signal band from DC to 1 kHz. The input referred noise density of the noise floor is 1.3 µV/sqrt(Hz). The power consumption of the circuit is 170 µW from a 3.6 V voltage supply. |
Abstract (fin): | Piistä valmistetut pienoisanturit ovat yleistymässä niiden luotettavuuden, edullisuuden ja pienen koon ansiosta. Usein anturisysteemin lähtösignaalia halutaan käsitellä digitaalisena, mikä vaatii analogia-digitaalimuuntimen toteuttamisen. Systeemin integrointiasteen kasvattaminen on kannattavaa integroimalla rajapintaelektroniikka, mukaan lukien analogia-digitaalimuunnin, mahdollisimman lähelle anturielementtiä. Tämän työn tavoitteena on suunnitella ja toteuttaa analogia-digitaalimuunnin matalatehoiseen mikroanturisovellukseen. Työssä suunniteltiin kaksiasteinen deltasigma-analogia-digitaalimuunnin, joka käyttää kytkin-kondensaattoritekniikalla toteutettua silmukkasuodinta ja yksibittistä kvantisoijaa. Operaatiovahvistimen kohinan ja tulonsiirrosjännitteen vähentämiseksi muunnin käyttää erityistä korreloiva kaksoisnäytteistys -tekniikkaa ja tehon säästämiseksi tulon kaksoisnäytteistystä. Työssä esitellään myös onnistuneesti toteutettu korkeaimpedanssisen yhteismuodon jännitereferenssin käyttäminen tehon säästämiseksi. Piiri toteutettiin integroituna piirinä 0,35 µm:n CMOS-valmistusteknologialla. Työssä esitetään suunniteltu piiri ja sen mittaustulokset. Signaalikaistalla DC:ltä 1 kHz:iin piiri saavutti 83 dB:n signaali-kohinasuhteen ja 80 dB:n signaali-kohinasärösuhteen. Tuloon redusoiduksi kohinatiheydeksi mitattiin 1,3 µV/sqrt(Hz). Piiri kuluttaa 170 µW tehoa 3,6 V :n jännitelähteestä. |
ED: | 2011-09-08 |
INSSI record number: 42724
+ add basket
INSSI